发明名称 一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法
摘要 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法,其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻,然后制作种子层,在需要沉积铟的地方,涂覆厚正光刻胶,光刻出“模子”,形成薄胶/种子层/厚胶的结构,以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱,借助于超声将种子层剥离,最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流,获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺,成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
申请公布号 CN101847592B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN201010143745.5 申请日期 2010.04.09
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 黄秋平;罗乐;徐高卫;袁媛
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法,其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻,然后制作种子层,在需要沉积铟的地方,涂覆厚正光刻胶,光刻出“模子”,形成薄胶/种子层/厚胶的结构,以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱,借助于超声将种子层剥离,最后将制作有铟凸点的芯片在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流,获得铟焊球阵列。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号