发明名称 |
一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法,其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻,然后制作种子层,在需要沉积铟的地方,涂覆厚正光刻胶,光刻出“模子”,形成薄胶/种子层/厚胶的结构,以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱,借助于超声将种子层剥离,最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流,获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺,成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。 |
申请公布号 |
CN101847592B |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201010143745.5 |
申请日期 |
2010.04.09 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
黄秋平;罗乐;徐高卫;袁媛 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法,其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻,然后制作种子层,在需要沉积铟的地方,涂覆厚正光刻胶,光刻出“模子”,形成薄胶/种子层/厚胶的结构,以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱,借助于超声将种子层剥离,最后将制作有铟凸点的芯片在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流,获得铟焊球阵列。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |