| 发明名称 | 基板处理装置以及基板载置台 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，基板载置台(5)具有载置台主体(5a)；和热遮蔽体(200)，该热遮蔽体(200)被设置在与载置台主体(5a)的载置半导体晶片W的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从载置台主体向喷淋头(40)的热扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101374973B | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200780003326.8 | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 饭塚八城 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理容器；配置在所述处理容器内，用于载置被处理基板的载置台；设置在与所述载置台相对的位置，用于向所述处理容器内喷出处理气体的处理气体喷出机构；以及对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，所述基板载置台具有：载置台主体；以及热遮蔽体，该热遮蔽体被设置在与所述载置台主体的载置被处理基板的区域相比位于更外侧的区域，用于降低从所述载置台主体向所述处理气体喷出机构的热扩散，所述热遮蔽体具有由材质不同的两层以上的膜构成的层叠结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||