发明名称 有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管
摘要 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管,其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料,能用喷墨等涂布工艺进行制膜,具有高电荷迁移率,即使在大气中也可以维持高开关比。
申请公布号 CN101589482B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200880003179.9 申请日期 2008.01.25
申请人 东丽株式会社 发明人 村濑清一郎;城由香里;塚本遵;真多淳二
分类号 H01L51/30(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 吴娟;孙秀武
主权项 1.有机半导体复合材料,其含有下述通式(12)所示的噻吩化合物与碳纳米管;B<sup>4</sup>-A<sup>2</sup>-B<sup>3</sup>    (12)此处,B<sup>3</sup>与B<sup>4</sup>相同或不同,分别表示下述通式(13)所示的基团,A<sup>2</sup>表示下述通式(14)-(18)中任一式所示的2价连接基团;<img file="FSB00000504811100011.GIF" wi="1058" he="322" />此处,R<sup>21</sup>-R<sup>25</sup>相同或不同,分别选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤原子、氰基、甲酰基、烷基羰基、芳基羰基、羧基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、氨基甲酰基、氨基与甲硅烷基,R<sup>21</sup>-R<sup>25</sup>中的相邻的取代基之间任选形成环,m<sup>2</sup>为0-11的整数,m<sup>2</sup>为2以上时,各个R<sup>21</sup>与R<sup>22</sup>相同或不同;<img file="FSB00000504811100012.GIF" wi="1394" he="190" />-Ar<sup>17</sup>-X<sup>8</sup>-R<sup>16</sup>-X<sup>9</sup>-Ar<sup>18</sup>-    (16)<img file="FSB00000504811100013.GIF" wi="1711" he="209" />此处,R<sup>15</sup>与R<sup>16</sup>相同或不同,分别表示亚烷基、亚环烷基、2价杂环基、羰基、氧基羰基或羰基氧基;Ar<sup>13</sup>-Ar<sup>22</sup>相同或不同,分别表示亚芳基或具有6元环的亚杂芳基;X<sup>7</sup>-X<sup>9</sup>相同或不同,分别表示-O-、-S-、-NR<sup>17</sup>-或-SiR<sup>18</sup>R<sup>19</sup>;Y<sup>7</sup>与Y<sup>8</sup>相同或不同,分别表示-CR<sup>20</sup>=或-N=;需要说明的是,R<sup>17</sup>-R<sup>20</sup>相同或不同,分别选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤原子、氰基、甲酰基、烷基羰基、芳基羰基、羧基、烷氧基羰基、芳基氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、氨基甲酰基、氨基与甲硅烷基,a<sup>7</sup>与a<sup>8</sup>表示1或2,b<sup>9</sup>-b<sup>12</sup>表示1-4的整数。
地址 日本东京都