DRAM中存储单元的离子掺杂方法

摘要

本发明涉及一种DRAM中存储单元的离子掺杂方法，该存储单元具有制作于硅基底内的有源区，位于硅基底有源区表面的若干掺杂结构字线。该方法包括以下步骤：1：氧化掺杂结构字线表面，侧壁及相邻掺杂结构字线之间的硅基底表面；2：在已氧化的掺杂结构字线表面及已氧化的硅基底表面涂覆光阻；3：欲进行掺杂的位于掺杂结构字线之间的已氧化的硅基底表面的光阻；4：将欲掺杂离子注入步骤3中已去除光阻的掺杂结构字线之间的硅基底内有源区。本发明通过在涂敷光阻之前对存储单元表面进行直接氧化，提高其与光阻的粘附性和光阻的均匀性，解决传统掺杂方法中光阻与存储单元表面粘附性差问题，及因粘附性差导致DRAM刷新时间降低的问题。

主权项

一种DRAM中存储单元的离子掺杂方法，所述存储单元具有制作于硅基底内的有源区，位于硅基底有源区表面的若干掺杂结构字线，其特征在于，所述存储单元的离子掺杂方法包括以下步骤：步骤1：氧化掺杂结构字线的表面及侧壁，以及相邻掺杂结构字线之间的硅基底表面；步骤2：在所述已氧化的掺杂结构字线的表面及已氧化的硅基底表面涂覆光阻；步骤3：去除欲进行掺杂的位于掺杂结构字线之间的已氧化的硅基底表面的光阻；步骤4：将欲掺杂离子注入步骤3中已去除光阻的掺杂结构字线之间的硅基底内有源区。