发明名称 负电压电平切换电路
摘要 一种负电压电平切换电路,包括:2个插入N管;2个上拉P管,其源极连接到正向电压Vdd,漏极分别连接到插入N管的漏极;2个正反馈N管,其源极连接到负电压Vneg,漏极分别连接到2个插入N管的源极;以第二插入N管和第二上拉P管之间的节点为输出Vout,第一插入N管和第一上拉P管的栅极连接到输入信号Vin,第一正反馈N管的栅极连接输出电压Vout;所述第二插入N管和第二上拉P管栅极连接到反相器的输出端,反相器的输入端连接输入信号Vin;第二正反馈N管的栅极连接到第一插入N管和第一上拉P管漏极之间的节点。能够减小相同导通条件下P管所需的导通电流,减小P管面积;且能加快电压切换速度和减小切换功耗。
申请公布号 CN101764605B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200810240460.6 申请日期 2008.12.23
申请人 北京芯技佳易微电子科技有限公司 发明人 胡洪
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨;朱世定
主权项 一种负电压电平切换电路,连接到正向电压Vdd和一负电压Vneg,并根据输入信号Vin切换输出电压Vout,其特征在于,所述电路包括一个反相器和源极、漏极连接在正向电压Vdd和负电压Vneg之间的两组晶体管,其中:第一组晶体管中包括:第一插入N沟道晶体管;第一上拉P沟道晶体管,其源极连接到正向电压Vdd,漏极连接到第一插入N沟道晶体管的漏极;第一正反馈N沟道晶体管,其源极连接到负电压Vneg,漏极连接到第一插入N沟道晶体管的源极;第二组晶体管中包括:第二插入N沟道晶体管;第二上拉P沟道晶体管,其源极连接到正向电压Vdd,漏极连接到第二插入N沟道晶体管的漏极,且第二插入N沟道晶体管的漏极和第二上拉P沟道晶体管的漏极之间的节点连接输出电压Vout;第二正反馈N沟道晶体管,其源极连接到负电压Vneg,漏极连接到第二插入N沟道晶体管的源极;且所述第一插入N沟道晶体管的栅极和第一上拉P沟道晶体管的栅极连接到输入信号Vin,第一正反馈N沟道晶体管的栅极连接输出电压Vout;所述第二插入N沟道晶体管的栅极和第二上拉P沟道晶体管的栅极连接到反相器的输出端,反相器的输入端连接输入信号Vin;第二正反馈N沟道晶体管的栅极连接到第一插入N沟道晶体管的漏极和第一上拉P沟道晶体管的漏极之间的节点。
地址 100084 北京市清华科技园学研大厦B座301室
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