| 发明名称 | 一种以Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为空穴传输层的有机光伏电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种以Cr2O3为空穴传输层的有机光伏电池，包括透明导电的衬底、空穴传输层、有机活性层和金属电极，所述空穴传输层是以磁控溅射的方法沉积在透明导电衬底上的Cr2O3薄膜。其制备方法包括：(1)清洗透明导电的衬底并烘干；(2)用磁控溅射方法在透明导电衬底上沉积Cr2O3薄膜；在空气中或在惰性气体保护下，在Cr2O3薄膜上甩上有机活性层；(3)电极的制备：在有机活性层表面蒸发金属电极，通过惰性气体保护下后退火。本发明用磁控溅射方法制备透明Cr2O3薄膜成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，相对于传统的空穴传输层(如PEDOT:PSS)，不存在对ITO的腐蚀性问题，热稳定性好。本发明的薄膜太阳能电池的能量转换效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101771132B | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200910273510.5 | 申请日期 | 2009.12.31 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 方国家;秦平力;孙南海 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
| 主权项 | 一种以Cr2O3为空穴传输层的有机光伏电池，包括氧化物透明导电衬底、空穴传输层、有机活性层和金属电极，其特征是：所述空穴传输层是以磁控溅射的方法沉积在透明导电衬底上的Cr2O3透明薄膜；所述有机活性层为P3HT:PCBM。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||