发明名称 |
一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法,属于有机电子学领域。所述晶体管包括绝缘衬底以及在绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层和漏电极,源电极位于绝缘衬底上,并与绝缘衬底接触;有机半导体层位于晶体管,上端与漏电极接触,下端与源电极接触;栅电极为两个长条形的栅电极,分别位于有机半导体层的两侧;介质层为槽型,将长条形的栅电极包裹在其槽内,介质层将栅电极和有机半导体层、源电极、漏电极隔离开。本发明采用低温工艺,把沟道由传统的平面型改进为垂直型,通过控制有机半导体层的薄膜厚度控制晶体管的沟道长度,大幅度地降低制备短沟道有机晶体管的难度,从而减少了制备的成本。 |
申请公布号 |
CN102263201A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201010181787.8 |
申请日期 |
2010.05.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
商立伟;刘明;姬濯雨 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种有机场效应晶体管,包括绝缘衬底以及在所述绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层和漏电极,其特征在于:所述源电极位于所述绝缘衬底上,并与所述绝缘衬底接触;所述有机半导体层位于所述晶体管中央,所述有机半导体层上端与所述漏电极接触,下端与所述源电极接触;所述栅电极为两个长条形的栅电极,分别位于所述有机半导体层的两侧;所述介质层为槽型,对称分布在所述有机半导体层的两侧,将所述长条形的栅电极包裹在其槽内,所述介质层将所述栅电极和所述有机半导体层、源电极、漏电极隔离开。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |