用于SOI射频开关的偏压生成电路

摘要

一种射频(RF)开关(40/42/44)，其位于绝缘体上半导体(SOI)衬底(10/20/30)上，该开关在底部半导体层(10)中包括至少一个电偏压区域(13)。该RF开关接收来自功率放大器的RF信号，并将该RF信号传送到天线(图3)。该电偏压区域可以被偏置(18/79/94或28/89/99)以消除或缩小累积区域，稳定耗尽区域，和/或防止在该底部半导体层中形成反型区域，由此减少由于该RF信号而造成的寄生耦合和谐波生成。分压器电路和整流器电路生成至少一个偏压，该偏压的幅度随着该RF信号的幅度而变化(图6)。将该至少一个偏压施加到该至少一个电偏压区域以维持该底部半导体层的适当偏压，以便将寄生耦合、信号耗损以及谐波生成最小化。

主权项

一种用于操作半导体电路的方法，包括：提供半导体电路，所述半导体电路包括：射频RF开关，包括位于绝缘体上半导体SOI衬底上的至少一个场效应晶体管；用于传送RF信号的RF信号线，其中所述RF信号线连接到所述RF开关；以及从所述RF信号生成至少一个偏压的电路；以及将所述至少一个偏压供应到所述SOI衬底的底部半导体层。