发明名称 |
提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法,所述的方法为将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合,均匀涂抹在芯片本体的外表面上或者灌注在芯片本体所安装的杯体中,待其完全干燥后完成封装。通过在制成纳米结构的透明陶瓷中吻合荧光粉和胶水涂抹在发光芯片的外表面,利用透明陶瓷的高透光性,且其本身具有散光的特性,通过多次的反射,有效的提高了发光二极管产品器件的亮度,同时透明陶瓷的导热性能优异,可帮助发光芯片在工作过程中散发热量,延长其使用寿命,且本发明可应用于各种规格的发光二极管中,易于推广。 |
申请公布号 |
CN102263193A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201110202081.X |
申请日期 |
2011.07.19 |
申请人 |
四川九洲光电科技股份有限公司 |
发明人 |
任恒 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
刘兴亮 |
主权项 |
一种提高发光二极管亮度发光芯片的封装方法,其特征在于:所述的方法为将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合,均匀涂抹在芯片本体的外表面上或者灌注在芯片本体所安装的杯体中,待其完全干燥后完成封装。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市科创园区九洲国际软件园 |