一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池扩散技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺。本发明采用两次扩散步骤，可得到类似双结的N+-N-P的结构，可以提高开路电压0.03-0.08V，可以提高电池片效率2%-5%。

主权项

一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步扩散：硅片放入石英管，（1）在温度830℃条件下通入7.5slm N2和1.2slm O2，时间3min，形成15‑30nm的SiO2的氧化层；（2）升温到845℃，通入N2 9slm、N2‑POCl3 0.8slm、O2 1slm的混合气体进行沉积，时间5min；（3）升温到950℃，通入10slm的N2进行推进，时间35 min；第二步扩散：（1）降温到850℃，通入N2 10slm、N2‑POCl3 0.95slm、O2 1slm的混合气体进行沉积，时间12min；（2）升温到860℃，通入9slm的N2进行推进，时间3min。