一种IGBT过压保护方法及采用此方法的过压保护电路

摘要

本发明公开了一种IGBT过压保护方法，所述方法包括如下步骤：电压监测电路监测IGBT集电极与发射极间电压；当IGBT VCE电压达到限值时，电压抑制电路将IGBT集电极与发射极之间的电压钳位在限定范围内。本发明的另一目的在于提供一种采用上述方法的IGBT过压保护电路。相较于现有技术，本发明的IGBT过压保护电路直接通过比较器对IGBT集电极和发射极两端电压进行精确监测，触发可控硅，对超过限制范围的电压利用压敏电阻进行吸收，对IGBTVCE电压进行钳位，从而有效防止IGBT过压而被击穿的情况发生，从根本上解决了因浪涌而导致的炸机问题，同时也解决了由于误触发而导致的间歇加热问题。

主权项

一种IGBT过压保护方法，所述方法包括如下步骤：电压监测电路监测IGBT集电极与发射极间VCE电压；当IGBT集电极与发射极间VCE电压达到限值时，电压抑制电路将IGBT集电极与发射极间VCE电压钳位在限定范围内；比较器反相输入端的电压高于同相输入端电压，比较器输出端电压拉低，保护驱动电路触发电压抑制电路；其特征在于，所述方法还包括步骤：保护驱动电路输出IGBT保护驱动触发可控硅，使可控硅导通，压敏电阻将IGBT集电极与发射极之间的电压钳位在限定范围内。