降低天线效应的光刻方法

摘要

本发明公开了一种降低天线效应的光刻方法，其用于光刻晶圆的绝缘介质层。所述光刻方法包括在所述绝缘介质层上涂光阻；进行曝光步骤以及显影步骤；所述显影步骤包括清洗所述绝缘介质层表面的清洗子步骤，在所述清洗子步骤中，晶圆的旋转速度小于等于2000转每分钟。与现有技术相比，本发明提供晶圆的光刻方法，通过在显影步骤的清洗子步骤中减小晶圆的转速，减少了天线效应对晶圆的损害，有效提高了晶圆的良率。

主权项

一种降低天线效应的光刻方法，其用于光刻晶圆的绝缘介质层，所述光刻方法包括：在所述绝缘介质层上涂光阻；进行曝光步骤以及显影步骤；其特征在于，所述绝缘介质层是晶圆的金属连线层间介质，所述光刻方法用于在金属连线层间介质上制作通孔，所述显影步骤包括清洗所述绝缘介质层的清洗子步骤，在所述清洗子步骤中，晶圆的旋转速度小于等于2000转每分钟。