硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺

摘要

本发明涉及一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，步骤如下：a、将硅片清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片正面镀减反膜；e、在硅片正面制作金属电极；f、用激光从硅片反面照射金属电极；g、在硅片反面制作背面电极；h、加热。本发明提供了一种能有效减小硅片和金属电极之间的欧姆接触电阻的硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其无需高温烧结，并能降低电池的串联电阻，提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于制备步骤如下：a、将硅片(1)清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片(1)正面镀减反膜(2)；e、在硅片(1)正面制作金属电极(3)；f、用激光(4)从硅片(1)反面照射金属电极(3)；g、在硅片(1)反面制作背面电极；h、在硅片(1)反面制作背面电场；i、加热。