| 发明名称 | 浅沟槽隔离形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102263052A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010189054.9 | 申请日期 | 2010.05.24 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王乐 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||