| 发明名称 | 发光二极管次基板、发光二极管封装及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光二极管次基板、发光二极管封装及其制造方法。该发光二极管次基板包含有：一基材、一直通硅晶穿孔以及一封口层。基材，具有一管芯面及一背面；直通硅晶穿孔贯穿基材，并连通管芯面及背面，其中直通硅晶穿孔包含一由背面向管芯面渐缩的锥状孔部位以及一衔接锥状孔部位的垂直孔部位；以及封口层封闭垂直孔部位。此外，也提供一种发光二极管封装及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102263192A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110144977.7 | 申请日期 | 2011.05.31 |
| 申请人 | 精材科技股份有限公司 | 发明人 | 杨铭堃;刘沧宇;尤龙生 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种发光二极管次基板，包含有：基材，具有管芯面及背面；直通硅晶穿孔，贯穿该基材，并连通该管芯面及该背面，其中该直通硅晶穿孔包含一由该背面向该管芯面渐缩的锥状孔部位以及一衔接该锥状孔部位的垂直孔部位；以及封口层，封闭该垂直孔部位。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||