整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法

摘要

一种整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法；首先提供一基材，此基材的上表面定义有一晶体管区域与一肖特基二极管区域；随后，形成至少一个第一沟槽于晶体管区域与至少二个第二沟槽于肖特基二极管区域；接下来，形成一栅极多晶硅结构于第一沟槽内，并且，形成一第二多晶硅结构填入这些第二沟槽内，并且至少覆盖位于这些第二沟槽间的肖特基二极管区域；接下来，依序形成本体与源极掺杂区于第一沟槽与第二沟槽之间；然后，形成一层间介电结构覆盖栅极多晶硅结构与部分的第二多晶硅结构，以定义出一源极接触窗于本体上，并且定义出一肖特基接触窗于第二多晶硅结构上；最后，形成一源极金属层填入源极接触窗与肖特基接触窗。

主权项

一种整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一第一导电型的基材；形成至少一栅极多晶硅结构与一第二多晶硅结构于该基材，该第二多晶硅结构具有至少一部分覆盖该基材的一上表面；以离子植入方式形成至少一第二导电型的本体与一第一导电型的源极掺杂区于该栅极多晶硅结构与该第二多晶硅结构之间；形成一层间介电层于该栅极多晶硅结构上，以定义一源极接触窗，并且至少裸露部分该第二多晶硅结构；以及去除至少部分该第二多晶硅结构，以形成一肖特基接触窗裸露该基材。