一种晶硅表面镀膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅表面镀膜及其制备方法，晶硅表面镀膜，包括晶硅表面的第一层非晶硅层，非晶硅层上面的氮化硅层和氮化硅层上面的氮氧化硅层。在硅片受光面进行等离子增强化学气相沉积镀膜，先用硅烷和氢气的混合气体或者硅烷和氮气的混合气体为气相，再以硅烷和氨气的混合气体作为气相，最后通入硅烷和一氧化二氮的混合气体为气相。本发明镀膜能减少表面复合，减少反射效果，从而有效地提高晶硅电池转换效率，增大电池输出功率。

主权项

一种晶硅表面镀膜，其特征是，包括晶硅表面的第一层非晶硅层，非晶硅层上面的第二层氮化硅层和氮化硅层上面的第三层氮氧化硅层。