发明名称 | 电力存储装置及其制造方法 | ||
摘要 | 提供一种具有改进循环特性的电力存储装置和制造所述电力存储装置的方法,所述电力存储装置具有与包含硅层的活性材料层表面接触的导电层,在去除活性材料层表面形成的氧化物膜,例如天然氧化物膜之后提供所述导电层。这样提供的所述导电层与包含硅层的活性材料层的表面接触,电力存储装置电极表面的导电性得以改进;因此,可以改进所述电力存储装置的循环特性。 | ||
申请公布号 | CN102263233A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
申请号 | CN201110152152.X | 申请日期 | 2011.05.27 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
分类号 | H01M4/134(2010.01)I;H01M4/1395(2010.01)I | 主分类号 | H01M4/134(2010.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
主权项 | 一种电力存储装置,其包括:集电器;位于所述集电器上的硅层;和位于所述硅层上并与所述硅层接触的导电层。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |