半导体封装用厚胶膜旋涂方法

摘要

本发明涉及半导体领域，具体为一种用以在半导体晶片上通过两次特殊方式的覆盖旋涂方法，获得半导体厚道封装用厚胶膜的旋涂方法，具体为在半导体封装厚胶涂胶方法特殊的二次涂胶方式，通过两次不同胶膜厚度和形式进行互补，达到最终封装用厚胶胶膜的均一性。第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶，第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。本发明通过两次特殊如上所述特殊涂胶方式，可以实现厚高粘度胶膜封装工艺的涂胶需求，解决了二次涂胶工艺的缺陷。

主权项

一种半导体封装用厚胶膜旋涂方法，其特征在于：旋涂装置的晶片吸附于真空吸盘上，滴胶管路设置于晶片的上方；第一次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转，使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第一次涂胶胶膜中间薄两边厚；第二次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第二次涂胶胶膜中间厚两边薄；两次涂胶结果互补，形成最终胶膜厚度的均一。