发明名称 |
一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺,包括以下步骤:表面制绒;硅片表面丝网印刷硼浆料或者磷浆料,并在100~500℃条件下烘干5~30min;根据硼浆或磷浆在高温下的自身阻挡和外扩散特性可选择在其上是否再丝网印刷一层阻挡层浆料;有源层背靠背进行高温硼、磷扩散;对于印刷硼浆的n型硅片,在880~1100℃条件下先扩散10~60min,随后降温至800~950℃,再通入POCl3源进行磷扩散10~60min;对于印刷磷浆的n型硅片,在880~1100℃温度条件通入BBr3源进行硼磷共扩散10~60min;边缘隔离以及BSG、PSG和阻挡层的去除;双面钝化;制备电极。 |
申请公布号 |
CN102263159A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201110143921.X |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
江阴鑫辉太阳能有限公司 |
发明人 |
陶龙忠;董经兵;杨灼坚;夏正月;李晓强;宋文涛;高艳涛;卢建刚;邢国强 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;B41M1/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
徐激波 |
主权项 |
一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)表面制绒;2)硅片表面丝网印刷硼浆料或者磷浆料,并在100~500℃条件下烘干5~30min;3)根据硼浆或磷浆在高温下的自身阻挡和外扩散特性可选择在其上是否再丝网印刷一层阻挡层浆料;4)有源层背靠背进行高温硼、磷扩散;对于印刷硼浆的n型硅片,在880~1100℃条件下先扩散10~60min,随后降温至800~950℃,再通入POCl3源进行磷扩散10~60min;对于印刷磷浆的n型硅片,在880~1100℃温度条件通入BBr3源进行硼磷共扩散10~60min;5)边缘隔离以及BSG、PSG和阻挡层的去除;6)双面钝化;7)制备电极。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市江阴市新桥镇工业园区 |