制作垂直结构发光二极管的方法

摘要

本发明提供一种制作垂直结构LED的方法，其中用于外延层生长的衬底是通过抛光而去除的。在典型实施例里使用的抛光技术是化学机械抛光，使用抛光停止点来提供充分水平的平面。在抛光表面之前，抛光停止点被置于多层结构中，抛光停止点材料的硬度大于需要去除的材料的硬度。所以，和激光剥离或传统抛光相比，可以较低成本和较高生产良率来生产垂直结构LED。典型的垂直结构LED是GaN LED。抛光停止点可以通过机械切割、激光切割或等离子蚀刻来去除。

主权项

一种制作GaN垂直结构发光二极管的方法，包括：提供第一衬底，其上能支持GaN外延生长；在第一衬底上形成一未掺杂GaN层；在该未掺杂GaN层上形成一n‑掺杂GaN层；在该n‑掺杂GaN层上形成一个多量子阱活性层；在该多量子阱活性层上形成一p‑掺杂GaN层；在该p‑掺杂GaN层上形成一p‑电极层，该p‑电极配置充当反射镜作用；使用一种硬度大于GaN硬度的材料，形成多个垂直的抛光停止点，每个抛光停止点穿过所述p‑掺杂GaN层、所述活性层，并终止在所述n‑掺杂GaN层或所述未掺杂GaN层；在所述p‑电极层上形成一导电的主衬底层；抛光除去第一衬底和至少一部分所述未掺杂GaN层，露出至少一部分n‑掺杂GaN层；和在所述n‑掺杂GaN层上形成一n‑电极。