光电转换装置及其制造方法

摘要

改善光电转换效率的光电转换装置。该光电转换装置的特征在于具有至少一pin型光电转换部，其通过层叠第一导电型层、第一i形层、第二i型层和第二导电型层而构成。该光电转换装置的特征还在于第一i型层的结晶化率低于第二i型层的结晶化率，并且在第一i型层和第二i型层的界面的结晶化率的变化率在膜厚方向是0.013-0.24nm-1。

主权项

一种光电转换装置，包括至少一p‑i‑n型的光电转换部，所述光电转换部包括按以下述顺序堆叠的第一导电型半导体层、第一i型半导体层、第二i型半导体层和第二导电型半导体层，其中所述第一i型半导体层和所述第二i型半导体层的每个由微晶硅形成，所述第一i型半导体层的结晶化率低于所述第二i型半导体层的结晶化率，在所述第一i型半导体层和所述第二i型半导体层的界面处所述第二i型半导体层具有结晶化率变化层，所述结晶化率变化层的膜厚为5nm至30nm，并且所述结晶化率变化层在膜厚方向的结晶化率的变化率是0.017至0.10nm‑1。