BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法，所述BCD工艺中的高压MOS晶体管结构包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层，位于半导体衬底中；第二掺杂类型的半导体层，覆盖所述半导体衬底和埋层；第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，并列位于所述半导体层中；场氧化层，位于所述第一掺杂类型的阱中；栅介质层，覆盖所述半导体层；栅电极，位于所述栅介质层和场氧化层上；源区，位于所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中；漏区，位于所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中。本发明可以与BCD工艺兼容，并避免场氧化层对P型离子的吸附作用导致的掺杂浓度低的问题。

主权项

一种BCD工艺中的高压MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一掺杂类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第二掺杂类型的埋层，然后形成第二掺杂类型的半导体层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；使用离子注入法在所述半导体层中形成并列的第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱；在所述第一掺杂类型的阱中形成场氧化层；形成覆盖所述半导体层的栅介质层；在所述栅介质层和场氧化层上形成栅电极，所述栅电极具有相对的第一侧和第二侧，其中第一侧延伸至所述第二掺杂类型的阱上方的栅介质层上，第二侧延伸至所述场氧化层上；在所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中形成源区，在所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中形成漏区。