图形转移方法

摘要

本发明提供一种图形转移方法，包括步骤：提供具有若干掩膜层的半导体基底，离半导体基底最远且未被刻蚀的掩膜层上具有光刻胶层，所述光刻胶含有感光成酸剂和对烷基苯氧基甲酸树酯；将目标图形曝光至光刻胶层，形成具有半导体器件图形的光刻胶层，且光刻胶层上半导体器件图形的深度小于光刻胶层的厚度；用硅烷化剂对具有目标图形的光刻胶层表面进行硅烷化处理，在光刻胶层上形成具有目标图形形状的抗等离子刻蚀层；以光刻胶层上的抗等离子刻蚀层为掩膜，对光刻胶层进行等离子刻蚀至暴露掩膜层；以抗等离子刻蚀层或光刻胶层为掩膜，刻蚀掩膜层。本发明不需要在被刻蚀的表面涂覆抗反射层，避免抗反射层涂布不平整，从而避免光刻胶层形成的图形线条结构不稳定。

主权项

一种图形转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次具有第二掩膜层和第一掩膜层，所述第一掩膜层上依次具有抗反射层和第一光刻胶层；通过曝光形成图形化第一光刻胶层后，以图形化第一光刻胶层为掩膜，蚀刻抗反射层、第一掩膜层至暴露第二掩膜层，形成图形化第一掩膜层和图形化抗反射层；去除第一光刻胶层和图形化抗反射层后，在第二掩膜层和图形化第一掩膜层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层含有感光成酸剂和对烷基苯氧基甲酸树酯，所述对烷基苯氧基甲酸树酯为对‑仲丁基‑苯氧基甲酸叔丁酯、对‑仲丁基‑苯氧基甲酸仲丁酯、对‑仲丁基‑苯氧基甲酸异丙酯、对‑异丙基‑苯氧基甲酸叔丁酯、对‑异丙基‑苯氧基甲酸仲丁酯或者对‑异丙基‑苯氧基甲酸异丙酯；通过曝光形成图形化第二光刻胶层，且图形化第二光刻胶层上的图形深度小于第二光刻胶层厚度；使用硅烷化剂对图形化第二光刻胶层表面进行硅烷化处理，使图形化第二光刻胶层上被曝光部分转变为图形化抗等离子刻蚀层；以图形化抗等离子刻蚀层为掩膜，对图形化第二光刻胶层进行等离子刻蚀至暴露图形化第一掩膜层和第二掩膜层；以图形化抗等离子刻蚀层和图形化第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二掩膜层。