发明名称 |
发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装 |
摘要 |
本发明涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。该发光器件阵列包括:第一支撑构件;被布置在第一支撑构件上的至少两个结合层;第二支撑构件,该第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上;发光结构,该发光结构被布置在第二支撑构件上,发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,该第一电极被布置在发光结构上。 |
申请公布号 |
CN102263119A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201110119375.6 |
申请日期 |
2011.05.04 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
郑畴溶 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件阵列,包括:第一支撑构件;至少两个结合层,所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上;第二支撑构件,所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上;发光结构,所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;以及第一电极,所述第一电极被布置在所述发光结构上。 |
地址 |
韩国首尔 |