| 发明名称 | 一种硅提纯的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅的提纯方法，步骤包括将原料硅与铝及金属添加剂混合得混合物，混合物加热熔融，于1350～1750℃保持0.5～20小时，后降温到500～650℃析出硅，得提纯硅；其中，原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5，金属添加剂为钛和/或钒。能有效去除原料硅中的杂质硼，硼的去除率高达99％以上，且杂质硼含量越高，硼的去除率越高，去除效率强，能有效降低原料硅中硼含量。而且能降低其他杂质的含量，使原料硅的纯度达到4～5N，为冶金法制备太阳能级多晶硅提供低成本、高性能的原料。而且本发明的硅的提纯方法能耗小，成本少，与等离子体除硼相比，能耗降低80％，成本降低60％，且设备简单、投资少。 | ||
| 申请公布号 | CN102260909A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010190230.0 | 申请日期 | 2010.05.31 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 沈益顺;司雷;彭少波;吴志能 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C22B3/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种硅提纯的方法，其特征在于，步骤包括将原料硅与铝及金属添加剂混合得混合物，混合物加热熔融，于1350～1750℃保持0.5～20小时，后降温到500～650℃析出硅，得提纯硅；所述原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5，所述金属添加剂为钛和/或钒。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||