| 发明名称 | 展示减少的分层的基于碳的存储器元件和形成其的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种形成可逆电阻-切换金属-绝缘体-金属(″MIM″)堆栈的方法，该方法包括：形成包括退化掺杂的半导体材料的第一导电层；以及在所述第一导电层之上形成基于碳的可逆电阻-切换材料。还提供其他方面。 | ||
| 申请公布号 | CN102265400A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200980152209.7 | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 许汇文 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种形成可逆电阻‑切换金属‑绝缘体‑金属(″MIM″)堆栈的方法，该方法包括：形成包括退化掺杂的半导体材料的第一导电层；以及在所述第一导电层之上形成基于碳的可逆电阻‑切换材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||