一种金属互连方法

摘要

本发明提出一种金属互连方法，该方法在金属层CMP之后，于金属层表面形成键能大于30千焦每摩尔的金属无机物化合物，例如，在金属铜互连线的金属层表面形成铜硅化合物，然后再制作通孔。本发明形成的铜硅化合物一方面使金属铜互连线中的金属层与通孔交界面扭折处钝化，另一方面由于铜硅化合物具有的Cu-Si键的键能达到220千焦每摩尔，能够更好地束缚金属层和通孔界面的铜原子，当电流流过时，金属铜晶界保持完整，从而显著改善了电迁移损伤的现象，使金属铜互连线的寿命提高一个数量级，达到一百六十年左右。

主权项

一种金属互连方法，其特征在于，该方法包括：在第一金属层表面形成键能大于30千焦每摩尔的金属无机物化合物；在所述金属无机物化合物表面沉积第二介质层；光刻和刻蚀所述第二介质层，形成通孔和沟槽；在所述通孔和沟槽中填充金属；化学机械研磨工艺抛光所述金属到第二介质层表面，形成第二金属层。