发明名称 嵌段共聚物组合物、薄膜以及嵌段共聚物组合物的制造方法
摘要 一种包括下述通式(A)所表示的嵌段共聚物A和,下述通式(B)所表示的嵌段共聚物B而成的嵌段共聚物组合物,其中,该嵌段共聚物A和嵌段共聚物B的重量比A/B为36/64~85/15,Ar1a-Da-Ar2a  (A)(Arb-Db)n-X(B)通式(A)以及(B)中,Ar1a以及Arb是各重量平均分子量为6000~15000的芳香族乙烯系聚合物嵌段,Ar2a是重量平均分子量为40000~400000的芳香族乙烯系聚合物嵌段,Da以及Db分别是乙烯基键合含有量为1~20摩尔%的共轭二烯聚合物嵌段,X是偶联剂的残基,n是3以上的整数。
申请公布号 CN102264832A 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200980152584.1 申请日期 2009.12.25
申请人 日本瑞翁株式会社 发明人 小田亮二;大石刚史
分类号 C08L53/02(2006.01)I 主分类号 C08L53/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 孙秀武;高旭轶
主权项 一种嵌段共聚物组合物,其含有下述通式(A)所表示的嵌段共聚物A和,下述通式(B)所表示的嵌段共聚物B而构成,嵌段共聚物A和嵌段共聚物B之间的重量比A/B是36/64~85/15,Ar1a‑Da‑Ar2a  (A)(Arb‑Db)n‑X(B)通式(A)以及(B)中,Ar1a以及Arb分别是重量平均分子量为6000~15000的芳香族乙烯系聚合物嵌段,Ar2a是重量平均分子量为40000~400000的芳香族乙烯系聚合物嵌段,Da以及Db分别是乙烯基键合含有量为1~20摩尔%的共轭二烯聚合物嵌段,X是偶联剂的残基,n是3以上的整数。
地址 日本东京都