激光辐照方法、设备以及用于制造半导体器件的方法

摘要

在制造半导体器件的工艺中，当将CW激光束整形为线性光束并在扫描时辐照在半导体膜上时，形成了在扫描方向上长度延伸的多个晶粒。由此形成的半导体在扫描方向上基本上具有类似于单晶的特性。然而，CW激光振荡器的输出如此低以致需要更多的时间来退火，还严重限制了设计规则。通过实施变焦距功能，可以根据在半导体元件上形成的半导体元件的尺寸来改变线性激光束的尺寸，可以缩短激光退火所需的时间，并可以放宽对设计规则的限制。变焦距功能包括连续可变(参照图1A-2C)并可以将线性激光束的长度转变为几种图形(参照图6A、6B和6C)的变焦距功能。

主权项

一种用于制造包括像素区和驱动器区的半导体器件的方法，所述像素区和驱动器区的每个包括半导体膜，所述方法包括如下步骤；通过第一光学系统，将第一激光束转换为具有均匀能量分布的第二激光束；通过具有变焦距功能的第二光学系统，由第二激光束在将被辐照的表面上形成图像从而将第二激光束整形为线性激光束；通过实施变焦距功能，改变将被辐照的表面上的所述线性激光束的尺寸，由此所述线性激光束的能量密度在辐照所述像素区和辐照所述驱动器区之间改变；以及通过所述线性激光束结晶化所述半导体膜，其中所述线性激光束是连续波激光束，并且其中辐照所述驱动器区的所述线性激光束的能量密度高于辐照所述像素区的所述线性激光束的能量密度。