发明名称 利用单轴冲压和加热装置制备陶瓷材料的方法
摘要 本发明涉及用于制备陶瓷材料的单轴冲压和加热装置,其包括加热器(4)、模具(5)和模头(3),其中,模具(5)设置在加热器(4)内部,模具(5)在至少一个开口处接纳模头(3),其中,模头(3)在压力下驱动进入模具(5)中,其中,加热器(4)的长度与模具(5)的长度的比例为≥1.5至≤4,并且其中模具(5)的材料是石墨或包括碳化钛和碳化锆的固溶体硬化和颗粒加强的钼基合金。本发明还涉及陶瓷的制备方法和陶瓷材料。
申请公布号 CN101296786B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200680039851.0 申请日期 2006.10.17
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 G·蔡特勒;H·施赖讷马赫尔;C·R·龙达
分类号 B28B3/02(2006.01)I;B30B15/34(2006.01)I;C04B35/547(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I 主分类号 B28B3/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 于辉
主权项 陶瓷的制备方法,其利用单轴冲压和加热装置,所述装置包括加热器(4)、模具(5)和模头(3),其中,模具(5)设置在加热器(4)内部,模具(5)在至少一个开口处接纳模头(3),其中,模头(3)在压力下驱动进入模具(5)中,并且加热器(4)的长度与模具(5)的长度的比例为≥1.5至≤4,模具(5)的材料是石墨或包括碳化钛和碳化锆的固溶体硬化和颗粒加强的钼基合金,所述方法包括如下步骤:a)将石墨固体置于模具(5)中;b)将钼箔(8)置于步骤a)的石墨固体(7)上;c)将陶瓷粉末(9)置于步骤b)的钼箔(8)上;d)如果需要,将钼箔(8)和陶瓷粉末的另外的交替层置于步骤c)的陶瓷粉末(9)上;e)可替换地,如果需要,将钼箔(8)、陶瓷粉末(9)和石墨固体(7)的交替层置于步骤c)的陶瓷粉末(9)上;f)布置所得堆叠的倒数第二层为钼箔(8);g)布置所得堆叠的最后一层为石墨固体(7);h)在所述冲压和加热装置中产生≥1×10‑8bar至≤1×10‑3bar的真空;i)加热至温度为≥1000℃至≤1400℃;和j)施加≥100MPa至≤220MPa的压力,并且其中所述陶瓷粉末包括用选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr中的元素掺杂的Gd2O2S。
地址 荷兰艾恩德霍芬