发明名称 | MEMS高量程加速度传感器的封装方法 | ||
摘要 | 本发明涉及传感器的封装技术,具体是一种MEMS高量程加速度传感器的封装方法。本发明解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题。MEMS高量程加速度传感器的封装方法,该方法是采用如下步骤实现的:a)阳极键合高硼硅玻璃基板;b)选取陶瓷基板;c)印制芯片焊盘及连接导线;d)将缓冲基板固定到不锈钢封装管壳中;e)焊接电缆引线;f)灌封不锈钢封装管壳;g)将不锈钢盖板缝接到不锈钢封装管壳上。本发明有效解决了现有传感器封装技术抗高过载能力差、固有频率低、以及封装可靠性差的问题,适用于MEMS高量程加速度传感器的封装。 | ||
申请公布号 | CN102259827A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
申请号 | CN201110173243.1 | 申请日期 | 2011.06.25 |
申请人 | 中北大学 | 发明人 | 刘俊;石云波;唐军;杨玉华;李平;张贺 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人 | 朱源 |
主权项 | 一种MEMS高量程加速度传感器的封装方法,其特征在于:该方法是采用如下步骤实现的:a)在MEMS高量程加速度传感器的芯片(1)上、下表面阳极键合高硼硅玻璃基板(2),两高硼硅玻璃基板(2)的厚度相等;b)选取陶瓷基板(3),陶瓷基板(3)的厚度等于芯片(1)的厚度与高硼硅玻璃基板(2)的厚度之和,将陶瓷基板(3)和芯片(1)固定到缓冲基板(4)上,保证固定后陶瓷基板(3)和芯片(1)处于同一水平面,且陶瓷基板(3)和芯片(1)间距紧凑;c)通过丝网印刷技术在芯片(1)上印制芯片焊盘(5),利用模具在陶瓷基板(3)上印制电缆引线用焊盘(6),在芯片焊盘(5)和电缆引线用焊盘(6)之间印制连接导线(7),并在连接导线(7)上覆盖绝缘材料(12);d)将缓冲基板(4)、芯片(1)、高硼硅玻璃基板(2)、陶瓷基板(3)固定到不锈钢封装管壳(8)中;e)焊接电缆引线(9)到陶瓷基板上的电缆引线用焊盘(6);f)利用灌封胶(11)灌封不锈钢封装管壳(8)的内腔;g)将不锈钢盖板(10)缝接到不锈钢封装管壳(8)上。 | ||
地址 | 030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号 |