用于沉积具有降低电阻率及改良表面形态的钨膜的方法

摘要

本发明提供一种控制钨膜的电阻率与形态的方法，该方法包含：在第一沉积阶段期间，通过下列步骤在基板上沉积块材钨层的第一膜：(i)将连续流动的还原气体与脉冲式流动的含钨化合物导入工艺腔室，以在该基板的表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该工艺腔室，以净化该工艺腔室；以及(iii)重复步骤(i)～(ii)，直到该第一膜填满了该基板的表面中的介层洞为止；增加该工艺腔室中的压力；以及在该第一沉积阶段之后的第二沉积阶段期间，通过提供还原气体与含钨化合物流到该工艺腔室而直到已沉积第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层的第二膜。

主权项

一种控制钨膜的电阻率与形态的方法，包含：(a)将基板定位于工艺腔室中；(b)在第一沉积阶段期间，通过下列步骤来沉积块材钨层的第一膜：(i)将连续流动的还原气体与脉冲式流动的含钨化合物导入该工艺腔室，以在该基板的表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该工艺腔室，以净化该工艺腔室；以及(iii)重复步骤(i)～(ii)，直到该第一膜填满了该基板的表面中的介层洞为止；(c)增加该工艺腔室中的压力；以及(d)在该第一沉积阶段之后的第二沉积阶段期间，通过将连续流动的还原气体与含钨化合物导入该工艺腔室而直到已沉积第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层的第二膜。