发明名称 |
光刻胶和光刻胶图形的优化方法 |
摘要 |
一种光刻胶和光刻胶图形的优化方法,所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。所述优化方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面涂布有光刻胶层,所述光刻胶层中包含有离散的金属离子;通过曝光显影将掩模版上的图案转移至所述光刻胶层上,形成光刻胶图形;所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。相较于现有技术,本发明的光刻胶层中包括螯合剂,使得所述螯合剂与所述金属离子配位键合而生成螯合物,能够有效避免所述金属离子与光刻胶中的聚合物生成不易清除的凝胶并防止在显影时清除不干净而产生缺陷,从而提高半导体器件的成品率。 |
申请公布号 |
CN102262357A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201010192857.X |
申请日期 |
2010.05.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
林益世;黄宜斌 |
分类号 |
G03F7/004(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/004(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种光刻胶,其特征在于,所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |