一种制备Ge纳米管的方法

摘要

本发明涉及一种制备Ge纳米管的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5)保温时间结束后，停载气，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下，可稳定的获得Ge纳米管。

主权项

一种制备Ge纳米管的方法，包括如下步骤：1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源GeTe合金粉，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为460～600Pa；3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至495‑505℃，保温；4)保温结束后，停载气并维持炉管内压为110～130Pa，进行自然降温。