| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括半导体衬底；外延半导体层，所述外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，所述栅极包括栅极导体层和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层；以及侧墙，所述侧墙位于外延半导体层上方以及所述栅极的两侧。该半导体结构的制造方法包括利用牺牲栅极在外延半导体层中形成抬高的源/漏区的步骤。该半导体结构及其制造方法可以用于简化超薄SOI晶体管的制造工艺和减小其导通电阻和功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102263132A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010191971.0 | 申请日期 | 2010.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括半导体衬底；外延半导体层，所述外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，所述栅极包括栅极导体层和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层；以及侧墙，所述侧墙位于外延半导体层上方以及所述栅极的两侧。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||