发明名称 一种硅基OLED显示芯片像素电路结构
摘要 一种硅基OLED显示芯片像素电路结构。像素电路结构至少有读入PMOS管、PIP电容器、驱动PMOS管、写出PMOS管、地线保护PMOS管、视频数据串行位线、同时连接PIP上电极连线和驱动PMOS管源极连线的电源线、通过地线保护PMOS管漏极连线与所述地线保护PMOS管漏极相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相连接的正相行选通线、通过写出PMOS管栅极连线与所述写出PMOS管栅极相连接的负相行选通线、与驱动电极连接线相连接的OLED发光层驱动电极。本实用新型降低了生产成本,降低了控制驱动电路的重量和空间体积。
申请公布号 CN202058419U 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN201020698465.6 申请日期 2010.12.29
申请人 广东中显科技有限公司 发明人 郭海成;代永平;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚
分类号 G09G3/32(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 G09G3/32(2006.01)I
代理机构 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 代理人 王凤华
主权项 一种硅基OLED显示芯片像素电路结构,其特征在于,包括:至少由读入PMOS管源极(3)以及读入PMOS管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18)以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。
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