发明名称 |
一种硅基OLED显示芯片像素电路结构 |
摘要 |
一种硅基OLED显示芯片像素电路结构。像素电路结构至少有读入PMOS管、PIP电容器、驱动PMOS管、写出PMOS管、地线保护PMOS管、视频数据串行位线、同时连接PIP上电极连线和驱动PMOS管源极连线的电源线、通过地线保护PMOS管漏极连线与所述地线保护PMOS管漏极相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相连接的正相行选通线、通过写出PMOS管栅极连线与所述写出PMOS管栅极相连接的负相行选通线、与驱动电极连接线相连接的OLED发光层驱动电极。本实用新型降低了生产成本,降低了控制驱动电路的重量和空间体积。 |
申请公布号 |
CN202058419U |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201020698465.6 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
广东中显科技有限公司 |
发明人 |
郭海成;代永平;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 |
分类号 |
G09G3/32(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
一种硅基OLED显示芯片像素电路结构,其特征在于,包括:至少由读入PMOS管源极(3)以及读入PMOS管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18)以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。 |
地址 |
528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 |