| 发明名称 | LED衬底及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED衬底及其制备方法，涉及半导体工艺领域，用以简化图形化衬底的制备过程。本发明提供的LED衬底的制备方法，包括：在基体上形成掩膜层，该掩膜层为纤锌矿结构的薄膜；利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，直至所述掩膜层完全腐蚀掉，所述LED衬底表面形成不规则结构。本发明的方案适用于GaN基LED器件的制作过程。 | ||
| 申请公布号 | CN102263175A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010191472.1 | 申请日期 | 2010.05.26 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 高福宝 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种LED衬底的制备方法，其特征在于，包括：在基体上形成掩膜层，该掩膜层为纤锌矿结构的薄膜；利用湿法刻蚀对所述掩膜层及所述基体进行刻蚀，直至所述掩膜层完全腐蚀掉，所述LED衬底表面形成不规则结构。 | ||
| 地址 | 100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||