| 发明名称 | 膜电容器用高介电性膜形成组合物 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。 | ||
| 申请公布号 | CN102265362A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200980152187.4 | 申请日期 | 2009.12.21 |
| 申请人 | 大金工业株式会社 | 发明人 | 横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 |
| 分类号 | H01G4/20(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08L27/12(2006.01)I;C08L101/00(2006.01)I;H01B3/00(2006.01)I;H01G4/18(2006.01)I;H01B17/56(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种膜电容器用膜形成组合物，其特征在于：含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)为10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)为100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||