发明名称 |
一种制取太阳能级硅的方法和装置 |
摘要 |
一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,并且950~1000℃的流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,工作温度分别为650~700℃和350~400℃;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,工作温度分别为650~700℃和950~1000℃。本发明还提出了一种为实施上述方法的装置,采用本发明既可节约成本;又可消除环境污染。 |
申请公布号 |
CN101585537B |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN200910012153.7 |
申请日期 |
2009.06.22 |
申请人 |
李绍光 |
发明人 |
李绍光 |
分类号 |
C01B33/033(2006.01)I;C01G9/04(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/033(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,其还原步骤在工作温度为950~1000℃流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,第一级冷凝分离器工作温度为650~700℃,分离出四氯化硅;第二级冷凝分离器工作温度为350~400℃,分离出锌和氯化锌;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,其前段工作温度为650~700℃;后段工作温度为950~1000℃。 |
地址 |
110013 辽宁省沈阳市沈河区市府大路286-3号2-5-1 |