利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法

摘要

本发明是有关于一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较该第一间距与该第二间距的比较步骤；以及依据该比较步骤判断度量准确度。经由前述比较，可采取适当的校准步骤，以缩短已知间距与测得间距之间的差距。本发明提供的方法，利用次纳米级间距偏移量，可有效校准度量工具至次纳米级。

主权项

一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，其特征在于包括以下步骤：测量一第一晶圆的一第一图案的一第一间距，以得到一第一间距测得值；测量一第二晶圆的一第二图案的一第二间距，以得到一第二间距测得值，其中该第二间距为该第一间距加上一间距偏移值，且该间距偏移值少于1纳米；利用具有一掩模间距的一校准掩模，在该第一晶圆或该第二晶圆上形成一已知间距，其中该已知间距选自该第一间距及该第二间距之一，而该掩模间距为4倍该已知间距，且借由该校准掩模于4倍缩放系数下图案化该第一晶圆或该第二晶圆，使该第一晶圆或该第二晶圆具有该已知间距；将该第一间距测得值与该第二间距测得值相减或相比，从而得到一差值；以及依据该差值与该间距偏移值之接近度，判断一度量系统的度量准确度。