具有改善性能的功率半导体器件和方法

摘要

一种半导体器件，包括以下结构：衬底，具有主表面，其中所述衬底具有第一电导率类型；基架结构，覆盖一部分所述主表面，其中所述基架结构包括第一导电层和介电层；导电垫块栅极区，沿着所述基架结构的侧表面设置；第二电导率类型的偏离主体区，形成在邻近所述导电垫块栅极区的所述主表面中，其中所述偏离主体区包括邻近所述主表面的较宽部分，以及在所述较宽部分下面的较窄部分，以及其中当所述半导体器件处于工作状态时，所述偏离主体区的所述较宽部分形成了沟道区。偏离主体区允许较小的单元间距并提高了漏电流和漏电阻特性而未影响击穿电压。

主权项

一种半导体器件，其特征在于：衬底，具有主表面，其中所述衬底具有第一电导率类型；基架结构，覆盖一部分所述主表面，其中所述基架结构包括第一导电层和介电层；导电垫块栅极区，沿着所述基架结构的侧表面设置；第二电导率类型的偏离主体区，形成在邻近所述导电垫块栅极区的所述主表面中，其中所述偏离主体区包括邻近所述主表面的较宽部分，以及在所述较宽部分下面的较窄部分，以及其中当所述半导体器件处于工作状态时，所述偏离主体区的所述较宽部分形成了沟道区；所述第一电导率类型的载流区，形成在所述偏离主体区中；以及所述第二电导率类型的第一掺杂区，形成在所述偏离主体区外部并且在接近所述沟道区的漏极边缘的所述衬底中，其中第一导电层连接到第一掺杂区。