发明名称 |
一种高灵敏非制冷红外探测器 |
摘要 |
本发明公开一种高灵敏非制冷红外探测器。本发明用聚偏二氟乙烯和三氟乙烯的共聚物作为热释电材料,并将其运用郎缪尔-布拉吉特方法生长在制备好金属底电极的聚酯材料衬底上,然后在材料上表面生长金属上电极,形成电容器结构,并在上电极上生长聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸导电聚合物作为红外吸收层。 |
申请公布号 |
CN102003998B |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201010286025.4 |
申请日期 |
2010.09.17 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
王建禄;孟祥建;孙璟兰;褚君浩;韩莉 |
分类号 |
G01J5/00(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01J5/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种非制冷红外探测器,其结构自衬底(1)向上依次为底电极(2)、光敏元(3)、上电极(4)和红外吸收层(5),其特征在于:所述的光敏元(3)采用厚度为100‑200纳米的聚偏二氟乙烯和三氟乙烯的共聚物P(VDFx‑TrFEy)热释电材料薄膜,材料的摩尔比x+y=100,50≤x≤100,0≤y≤50;所述的红外吸收层(5)采用厚度为100‑200纳米的聚3,4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜。 |
地址 |
200083 上海市玉田路500号 |