| 发明名称 | 一种具有光致发光特性的单晶硅及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于发光半导体原材料制备领域，具体涉及一种具有光致发光特性的单晶硅及其制备方法，所述单晶硅发光光谱的波长在380~420nm之间，其制备方法包括：单晶硅清洗后吹干待用；将上述单晶硅置于电子束发射装置中，对单晶硅表面进行脉冲轰击处理，获得具有光致发光特性的单晶硅。在本发明中，具有光致发光特性的单晶硅结构稳定，发光效率高，衰减时间长，作为一种新型的发光半导体材料其具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102260496A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110159178.7 | 申请日期 | 2011.06.15 |
| 申请人 | 江苏大学 | 发明人 | 关庆丰;彭冬晋;李艳;顾倩倩 |
| 分类号 | C09K11/59(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/59(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：采用强流脉冲电子束对单晶硅表面进行脉冲轰击处理后获得。 | ||
| 地址 | 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 | ||