多晶硅的清洗方法和清洗装置，以及多晶硅的制造方法

摘要

多晶硅的清洗方法，其是具有利用酸液的酸洗工序、和在该酸洗工序后用纯水清洗的水洗工序的多晶硅的清洗方法，在该水洗工序中，将上述多晶硅浸渍在贮存了纯水的水洗槽中，更换上述水洗槽内的纯水至少1次以上，以除去上述多晶硅的表面残留的上述酸液，同时测量上述水洗槽中纯水的电导率(C)，根据上述电导率(C)的测量值来判断上述水洗工序的结束。

主权项

多晶硅的清洗方法，其是具有利用酸液的酸洗工序、和在该酸洗工序后用纯水清洗的水洗工序的多晶硅的清洗方法，其中，在该水洗工序中，将上述多晶硅浸渍在贮存了纯水的水洗槽中，更换上述水洗槽内的纯水至少1次以上，以除去上述多晶硅的表面残留的上述酸液，同时更换上述纯水并将上述多晶硅在纯水中以浸渍状态静置，然后经过至少2小时后测量上述水洗槽中纯水的电导率C，在上述电导率C变为2μS/cm以下后结束上述水洗工序。