| 发明名称 | 沟槽型VMOS晶体管制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽型VMOS晶体管制作方法，包括：提供形成有外延层的半导体衬底，所述外延层内具有沟槽，所述沟槽内形成有栅极，位于所述栅极两侧的外延层内形成有源极；在所述外延层上方形成覆盖栅极的层间介质层，所述层间介质层和外延层内形成有接触孔，所述接触孔与源极相邻；在层间介质层上形成金属互连层，且所述金属互连层填充满接触孔；在所述形成金属互连层之前，包括步骤：利用化学气相沉积的方法在所述层间介质层、接触孔的侧壁及底部形成第一金属层；利用物理气相沉积的方法在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层与第一金属层构成所述阻挡金属层。所述方法有效阻挡了金属铝进入外延层内，消除了铝穿刺的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102263031A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010192843.8 | 申请日期 | 2010.05.26 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 叶康;彭树根;李乐 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽型VMOS晶体管制作方法，所述方法包括：提供形成有外延层的半导体衬底，所述外延层内具有沟槽，所述沟槽内形成有栅极，位于所述栅极两侧的外延层内形成有源极；在所述外延层上方形成覆盖栅极的层间介质层，所述层间介质层和外延层内形成有接触孔，所述接触孔与源极相邻；在层间介质层上形成金属互连层，且所述金属互连层填充满接触孔；其特征在于，在所述形成金属互连层之前，包括步骤：利用化学气相沉积的方法在所述层间介质层、接触孔的侧壁及底部形成第一金属层；利用物理气相沉积的方法在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层与第一金属层构成所述阻挡金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||