| 发明名称 | 具有乱真声学模式抑制的集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路(IC)设备，包括具有相对的第一和第二主侧面和一个或多个边缘的衬底，所述一个或多个边缘界定所述衬底的外周边。衬底可以是半导体材料。该IC设备还可以包括位于所述衬底的所述第一主侧面上的一个或多个换能器；以及形成于所述衬底的所述第二主侧面和一个或多个边缘中的至少一个中的衰减图案。 | ||
| 申请公布号 | CN102265333A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200980152096.0 | 申请日期 | 2009.12.07 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | W·奥斯曼;B·J·萨沃德;J·陈;R·J·所罗门 |
| 分类号 | G10K11/00(2006.01)I | 主分类号 | G10K11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种集成电路(IC)设备，包括：具有相对的第一和第二主侧面和一个或多个边缘的衬底，所述一个或多个边缘界定所述衬底的外周边，所述衬底包括半导体材料；位于所述衬底的所述第一主侧面上的一个或多个换能器；以及形成于所述衬底的所述第二主侧面和所述一个或多个边缘中的至少一个中的衰减图案。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||