| 发明名称 | 用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构，该锁相环频率综合器结构由粗调谐回路和精调谐回路两个环路构成，其中，该粗调谐回路用来选择不同的频率控制字，实现环路的频率锁定，该精调谐回路用来实现环路的相位锁定。在锁定状态时，粗调谐回路被关断，仅仅精调谐回路工作。利用本发明，解决了传统结构带内相位噪声受限于分频器的问题，通过引入精调谐回路，在锁定状态时有效减少了分频器的噪声，提高了锁相环频率综合器的带内相位噪声性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102263554A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010191191.6 | 申请日期 | 2010.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黄水龙;王小松;刘磊;李东岳;张海英 |
| 分类号 | H03L7/08(2006.01)I;H03L7/18(2006.01)I;H03L7/187(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构，其特征在于，该锁相环频率综合器结构由粗调谐回路和精调谐回路两个环路构成，其中，该粗调谐回路用来选择不同的频率控制字，实现环路的频率锁定，该精调谐回路用来实现环路的相位锁定。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||