| 摘要 |
Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine leitfähige Trägerschicht (156); eine Elektrode ersten Typs (150) auf der leitfähigen Trägerschicht (156); eine Halbleiterstruktur, die eine Halbleiterschicht ersten Typs (128) auf der Elektrode ersten Typs, eine aktive Schicht (126) auf der Halbleiterschicht ersten Typs (128) und eine Halbleiterschicht zweiten Typs (124) auf der aktiven Schicht (126) umfasst, wobei die Elektrode ersten Typs (150) zwischen der leitfähigen Trägerschicht (156) und der Halbleiterstruktur angeordnet ist; eine Elektrode zweiten Typs (160) auf einer oberen Oberfläche der Halbleiterstruktur; eine Passivierungsschicht (162) auf einer seitlichen Oberfläche und der oberen Oberfläche der Halbleiterstruktur, wobei die Passivierungsschicht (162) auf der oberen Oberfläche der Halbleiterstruktur über der Elektrode ersten Typs (150) angeordnet ist und die Passivierungsschicht (162) Seitenabschnitte der Halbleiterschicht ersten Typs (128), der aktiven Schicht (126) und der Halbleiterschicht zweiten Typs (124) bedeckt; und eine Metallkontaktstelle (164) auf der Elektrode weiten Typs, wobei die Metallkontaktstelle... |
