发明名称 |
一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法,包括如下步骤:(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜;(2)在水平管式炉中部放置蒸发源,将水平管式炉抽至一定真空度后,充入载气使炉管内维持一定的内压;(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处,并对水平管式炉中部进行加热至预定温度;(4)在步骤(3)中,当炉中部管温升至预定温度后,进行一定时间的保温;(5)保温时间结束后,停载气,利用机械泵维持一定的真空度,进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下,可稳定的获得Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结结构。 |
申请公布号 |
CN102260906A |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN201110202610.6 |
申请日期 |
2011.07.19 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
翟继卫;尚飞;沈波 |
分类号 |
C30B23/00(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I |
主分类号 |
C30B23/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法,包括如下步骤:1)在Si基片上溅射一层Au薄膜;2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源GeTe合金粉,将水平管式炉抽真空后,充入载气使炉管内维持内压为650~1100Pa;3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处,并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至495‑505℃,保温;4)保温结束后,停载气并维持炉管内压为110~130Pa,进行自然降温。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |